FTD1899 Todos los transistores

 

FTD1899 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD1899
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTD1899 datasheet

 ..1. Size:299K  first silicon
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FTD1899

SEMICONDUCTOR FTD1899 TECHNICAL DATA FTD1899 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat) High Transition Frequency DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H H 1 00 MAX Symbol Parameter Value Unit I 2 30 0 2 L F F VCBO Collector-Base Voltage 60 V J 0

 8.1. Size:100K  first silicon
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FTD1899

SEMICONDUCTOR FTD1898 TECHNICAL DATA A C H G FTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES D D K High Breakdown Voltage and Current F F DIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MA

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History: CSD1733

 

 

 


 
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