FTD1899 Todos los transistores

 

FTD1899 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD1899
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTD1899 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  first silicon
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FTD1899

SEMICONDUCTORFTD1899TECHNICAL DATAFTD1899 TRANSISTOR (NPN) FEATURES AICJ Low VCE(sat) High Transition Frequency DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAXSymbol Parameter Value UnitI 2 30 0 2LF FVCBO Collector-Base Voltage 60 V J 0

 8.1. Size:100K  first silicon
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FTD1899

SEMICONDUCTORFTD1898TECHNICAL DATAACHGFTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DDK High Breakdown Voltage and Current F FDIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MA

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History: TP2219 | KT716A | PN3250A | 2SB1203T-TL-E | 2SA453 | BFQ253A

 

 
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