FTD1899 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTD1899  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTD1899

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1899 даташит

 ..1. Size:299K  first silicon
 ftd1899.pdf pdf_icon

FTD1899

SEMICONDUCTOR FTD1899 TECHNICAL DATA FTD1899 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat) High Transition Frequency DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H H 1 00 MAX Symbol Parameter Value Unit I 2 30 0 2 L F F VCBO Collector-Base Voltage 60 V J 0

 8.1. Size:100K  first silicon
 ftd1898.pdf pdf_icon

FTD1899

SEMICONDUCTOR FTD1898 TECHNICAL DATA A C H G FTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES D D K High Breakdown Voltage and Current F F DIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MA

Другие транзисторы: FTC945B, FTD1304, FTD1499, FTD1616A, FTD1624, FTD1760, FTD1781K, FTD1898, TIP31C, FTD2058, FTD2058F, FTD2097, FTD2098, FTD2114K, FTD2118, FTD4240, FTD880