Справочник транзисторов. FTD1899

 

Биполярный транзистор FTD1899 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTD1899
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FTD1899

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1899 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  first silicon
 ftd1899.pdf pdf_icon

FTD1899

SEMICONDUCTORFTD1899TECHNICAL DATAFTD1899 TRANSISTOR (NPN) FEATURES AICJ Low VCE(sat) High Transition Frequency DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAXSymbol Parameter Value UnitI 2 30 0 2LF FVCBO Collector-Base Voltage 60 V J 0

 8.1. Size:100K  first silicon
 ftd1898.pdf pdf_icon

FTD1899

SEMICONDUCTORFTD1898TECHNICAL DATAACHGFTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DDK High Breakdown Voltage and Current F FDIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MA

Другие транзисторы... FTC945B , FTD1304 , FTD1499 , FTD1616A , FTD1624 , FTD1760 , FTD1781K , FTD1898 , 2SD313 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , FTD2114K , FTD2118 , FTD4240 , FTD880 .

History: BCM847DS | DRA5A14Y | SRC1219EF

 

 
Back to Top

 


 
.