FTD2118 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTD2118  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO252 DPAK

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FTD2118 datasheet

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FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2118 TECHNICAL DATA FTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H VCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAX I 2 30 0 2 L F F VCEO Col

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FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2114K TECHNICAL DATA Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. 3 hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 2 VEBO =12V (Min.) 1 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. COLLECTOR Absolute maximum rating

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