FTD2118 Todos los transistores

 

FTD2118 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD2118
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTD2118 datasheet

 ..1. Size:325K  first silicon
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FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2118 TECHNICAL DATA FTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H VCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAX I 2 30 0 2 L F F VCEO Col

 8.1. Size:1582K  first silicon
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FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2114K TECHNICAL DATA Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. 3 hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 2 VEBO =12V (Min.) 1 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. COLLECTOR Absolute maximum rating

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History: 3N70 | FTD2114K

 

 

 


 
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