FTD2118 - описание и поиск аналогов

 

FTD2118. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTD2118

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252 DPAK

 Аналоги (замена) для FTD2118

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD2118 даташит

 ..1. Size:325K  first silicon
 ftd2118.pdf pdf_icon

FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2118 TECHNICAL DATA FTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H VCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAX I 2 30 0 2 L F F VCEO Col

 8.1. Size:1582K  first silicon
 ftd2114k.pdf pdf_icon

FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2114K TECHNICAL DATA Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. 3 hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 2 VEBO =12V (Min.) 1 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. COLLECTOR Absolute maximum rating

Другие транзисторы... FTD1781K , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , FTD2114K , D209L , FTD4240 , FTD880 , FTD882 , FTD882D , FTD882F , MJD122I , MJE13002B , MJE13003A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.