FTD2118 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTD2118  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTD2118

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD2118 даташит

 ..1. Size:325K  first silicon
 ftd2118.pdf pdf_icon

FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2118 TECHNICAL DATA FTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H VCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAX I 2 30 0 2 L F F VCEO Col

 8.1. Size:1582K  first silicon
 ftd2114k.pdf pdf_icon

FTD2118

SEMICONDUCTOR FTD2114K TECHNICAL DATA Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. 3 hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 2 VEBO =12V (Min.) 1 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. COLLECTOR Absolute maximum rating

Другие транзисторы: FTD1781K, FTD1898, FTD1899, FTD2058, FTD2058F, FTD2097, FTD2098, FTD2114K, BC556, FTD4240, FTD880, FTD882, FTD882D, FTD882F, MJD122I, MJE13002B, MJE13003A