13005ED Todos los transistores

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13005ED . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13005ED

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 32 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 6 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO220

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13005ED Datasheet (PDF)

1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

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R S13005ED 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2. 2. 2

1.2. 13005ed.pdf Size:117K _jdsemi

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R 13005ED 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2. 2. 2.

 4.1. 13005ec.pdf Size:158K _utc

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С

Otros transistores... 13001-A , 13003AD , 13003B , 13005A , 13005AD , 13005ADL , 13005D , 13005DL , TIP2955 , 13005F , 13005S , 13005SD , 13005SDL , 13007DL , 13007S , 13007T , 13009A .

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