13005ED Todos los transistores

 

13005ED Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 13005ED
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 32 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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13005ED PDF detailed specifications

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R 13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 ... See More ⇒

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NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13005ED MAIN CHARACTERISTICS Package I 4A C V 450V CEO P (IPAK/TO-126/126F/220HF) 40W C P (DPAK) 50W C P (TO-220/220C/262/263) 75W C TO-220C-S1 TO-220C TO-220 APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ba... See More ⇒

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = ... See More ⇒

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History: 2SC5145 | 2SC4993

 

 
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