13005ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 13005ED  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 13005ED

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13005ED даташит

 ..1. Size:117K  jdsemi
 13005ed.pdf pdf_icon

13005ED

R 13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 0.1. Size:1011K  jilin sino
 3dd13005ed.pdf pdf_icon

13005ED

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13005ED MAIN CHARACTERISTICS Package I 4A C V 450V CEO P (IPAK/TO-126/126F/220HF) 40W C P (DPAK) 50W C P (TO-220/220C/262/263) 75W C TO-220C-S1 TO-220C TO-220 APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ba

 0.2. Size:116K  jdsemi
 s13005ed.pdf pdf_icon

13005ED

 8.1. Size:158K  utc
 13005ec.pdf pdf_icon

13005ED

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 13001-A, 13003AD, 13003B, 13005A, 13005AD, 13005ADL, 13005D, 13005DL, 2SB817, 13005F, 13005S, 13005SD, 13005SDL, 13007DL, 13007S, 13007T, 13009A