BU3150T Todos los transistores

 

BU3150T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU3150T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220A
 

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BU3150T datasheet

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R BU3150T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 Hi

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TEL 0755-29799516 FAX 0755-29799515 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Http //www.jdsemi.cn BU3150 NPN

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R BU3150F www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURE

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History: KTC3205T

 

 

 


 
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