BU3150T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU3150T  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 1100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220A

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BU3150T datasheet

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R BU3150T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 Hi

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R BU3150F www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURE

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