BU3150T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BU3150T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BU3150T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU3150T даташит

 ..1. Size:113K  jdsemi
 bu3150t.pdf pdf_icon

BU3150T

R BU3150T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 Hi

 8.1. Size:78K  shenzhen
 bu3150.pdf pdf_icon

BU3150T

TEL 0755-29799516 FAX 0755-29799515 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Http //www.jdsemi.cn BU3150 NPN

 8.2. Size:272K  shantou-huashan
 hbu3150a.pdf pdf_icon

BU3150T

 8.3. Size:114K  jdsemi
 bu3150f.pdf pdf_icon

BU3150T

R BU3150F www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU202ADL, BU202DL, BU203DL, BU206DL, BU3150AF, BU3150BF, BU3150F, BU3150F-A, 2SD1555, BU5027A, BU5027AF, BU5027S, BU6084B, BU6084BF, BU8403, D667, D880