DK55A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DK55A 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 53 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO251
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DK55A datasheet
dk55a.pdf
R DK55A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 2 2
Otros transistores... DK52D, DK53AD, DK53ADL, DK53D, DK53DL, DK53H, DK53TD, DK54DL, BD140, DK55ED, DK55SD, E13005SDL, H13003, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: CSA1585BC | 2SC2001-L | P2N2369A | 3DD13005_F8-1 | 2SB1308-R | 13005SDL
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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