DK55A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DK55A. Основные параметры


   Наименование производителя: DK55A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 53 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для DK55A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK55A даташит

 ..1. Size:114K  jdsemi
dk55a.pdfpdf_icon

DK55A

R DK55A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 2 2

Другие транзисторы... DK52D , DK53AD , DK53ADL , DK53D , DK53DL , DK53H , DK53TD , DK54DL , TIP122 , DK55ED , DK55SD , E13005SDL , H13003 , H13003AD , H13003ADL , H13003AH , H13003D .

History: 2SA968B | DK53AD | 13005D | MJE13005DT7 | MJE13005VT7 | 3DD13005_A3 | 3DD13005N8D

 

 

 


 
↑ Back to Top
.