STLD128DNT4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STLD128DNT4 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 8
Encapsulados: TO252
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STLD128DNT4 datasheet
stl128dn-dnfp stld128dnt4.pdf
STL128DN High voltage fast-switching NPN power transistor Features TAB High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed 3 3 Large RBSOA 2 2 1 1 Integrated antiparallel collector-emitter diode TO-220 TO-220FP TAB Applications Electronic ballast for fluorescent lighting 3 1 Flyback and forward single transistor low
Otros transistores... STC03DE220HV, STC04IE170HP, STC04IE170HV, STF22907GW, STI13005-1, STI13005H, STL128DFP, STL128DNFP, BD135, STD01N, STD01P, STD127DT4, STD13005I, STD840DN40, STD845DN40, STE07DE220, STA301A
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: RN2107CT | NB212XJ | FTC2316 | 2N5817 | 2N5819 | BF758 | KSC900G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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