STLD128DNT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STLD128DNT4  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STLD128DNT4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STLD128DNT4 даташит

 ..1. Size:418K  st
 stl128dn-dnfp stld128dnt4.pdf pdf_icon

STLD128DNT4

STL128DN High voltage fast-switching NPN power transistor Features TAB High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed 3 3 Large RBSOA 2 2 1 1 Integrated antiparallel collector-emitter diode TO-220 TO-220FP TAB Applications Electronic ballast for fluorescent lighting 3 1 Flyback and forward single transistor low

Другие транзисторы: STC03DE220HV, STC04IE170HP, STC04IE170HV, STF22907GW, STI13005-1, STI13005H, STL128DFP, STL128DNFP, BD135, STD01N, STD01P, STD127DT4, STD13005I, STD840DN40, STD845DN40, STE07DE220, STA301A