3DA608C Todos los transistores

 

3DA608C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA608C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DA608C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:112K  china
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3DA608C

3DA608 NPN A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V VCE=10V VCE=20V VCE=30V ICEO 2.0 mA VCE=40V VCE=60V VCE=80V IC=5.0A VCEsat 1.0 V IB=0.5A VCE=3.

 8.2. Size:242K  inchange semiconductor
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3DA608C

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA608DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h : 20-180@I = 7.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT3DA608A 40

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: SMBT3904DW1T1G | BFG520-X | PN3827 | GES6014 | MP4301 | S8050W | HE3055

 

 
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