3DA608C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA608C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA608C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA608C даташит

 8.1. Size:112K  china
 3da608.pdf pdf_icon

3DA608C

3DA608 NPN A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V VCE=10V VCE=20V VCE=30V ICEO 2.0 mA VCE=40V VCE=60V VCE=80V IC=5.0A VCEsat 1.0 V IB=0.5A VCE=3.

 8.2. Size:242K  inchange semiconductor
 3da608.pdf pdf_icon

3DA608C

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA608 DESCRIPTION High DC Current Gain- h 20-180@I = 7.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT 3DA608A 40

Другие транзисторы: 3DA56, 3DA58A, 3DA58B, 3DA58C, 3DA58D, 3DA58E, 3DA608A, 3DA608B, A1941, 3DA608D, 3DA608E, 3DA608F, 3DA6718, 3DA75A, 3DA75B, 3DA75C, 3DA75D