QS5Y2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS5Y2 📄📄

Código: Y02

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TSMT5

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QS5Y2 datasheet

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Midium Power Transistors ( 50V / 3A) QS5Y2 Structure Dimensions (Unit mm) NPN/PNP Silicon epitaxial planar transistor TSMT5 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) (1) Base 2) High speed switching (2) Collector (3) Emitter Abbreviated symbol Y02 Applications

Otros transistores... PZTA43, PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, QS5W1, QS5W2, QS5Y1, 2SC828, QS6Z5, QSH29, QSL10, QSL11, QSL12, QSL9, QST8, QST9

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