QS5Y2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS5Y2
Código: Y02
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: TSMT5
- Selección de transistores por parámetros
QS5Y2 Datasheet (PDF)
qs5y2.pdf

Midium Power Transistors (50V / 3A) QS5Y2 Structure Dimensions (Unit : mm)NPN/PNP Silicon epitaxial planar transistorTSMT5 Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA)VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)(1) Base2) High speed switching (2) Collector(3) EmitterAbbreviated symbol : Y02 Applications
Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: ZXTN25020DFH | BDY15C | ZTX108CL | MUN2233 | UMB6N | SD451 | D882-Y-TE3B
History: ZXTN25020DFH | BDY15C | ZTX108CL | MUN2233 | UMB6N | SD451 | D882-Y-TE3B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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