QS5Y2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS5Y2  📄📄 

Маркировка: Y02

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TSMT5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для QS5Y2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QS5Y2 даташит

 ..1. Size:459K  rohm
 qs5y2.pdf pdf_icon

QS5Y2

Midium Power Transistors ( 50V / 3A) QS5Y2 Structure Dimensions (Unit mm) NPN/PNP Silicon epitaxial planar transistor TSMT5 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) (1) Base 2) High speed switching (2) Collector (3) Emitter Abbreviated symbol Y02 Applications

Другие транзисторы: PZTA43, PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, QS5W1, QS5W2, QS5Y1, 2SC828, QS6Z5, QSH29, QSL10, QSL11, QSL12, QSL9, QST8, QST9