QS6Z5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS6Z5  📄📄 

Código: Z05

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 360 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TSMT6

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QS6Z5 datasheet

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QS6Z5

Data Sheet Complex Midium Power Transistors ( 50V/ 1A) QS6Z5 Structure Dimensions (Unit mm) NPN/PNP Silicon epitaxial planar transistor TSMT6 Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (1) Tr.1 Base VCE (sat) = 0.40V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (2) Tr.2 Emitter (3) Tr.2 Base 2) High speed switching (4) Tr.2 Coll

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