QS6Z5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6Z5  📄📄 

Маркировка: Z05

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 360 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TSMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для QS6Z5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QS6Z5 даташит

 ..1. Size:622K  rohm
 qs6z5.pdf pdf_icon

QS6Z5

Data Sheet Complex Midium Power Transistors ( 50V/ 1A) QS6Z5 Structure Dimensions (Unit mm) NPN/PNP Silicon epitaxial planar transistor TSMT6 Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (1) Tr.1 Base VCE (sat) = 0.40V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (2) Tr.2 Emitter (3) Tr.2 Base 2) High speed switching (4) Tr.2 Coll

Другие транзисторы: PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, QS5W1, QS5W2, QS5Y1, QS5Y2, 431, QSH29, QSL10, QSL11, QSL12, QSL9, QST8, QST9, QSX7