BUR52S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUR52S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BUR52S datasheet

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BUR52S

BUR52S MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) FEATURES FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROL TO-3 (TO-204

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BUR52S

BUR52 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR MAINTAINS GOOD SWITCHING PERFORMANCE EVEN WITHOUT NEGATIVE BASE DRIVE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT 2 DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN TO-3 transistors in modified Jedec TO-3 metal case, (version " P ") intented for use in switc

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