BUR52S Todos los transistores

 

BUR52S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUR52S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUR52S

 

BUR52S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:17K  semelab
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BUR52S
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BUR52SMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)HIGH CURRENTNPN SILICONTRANSISTOR25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)FEATURES FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER1 23(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50)APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROLTO-3 (TO-204

 9.1. Size:62K  st
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BUR52S
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BUR52HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR MAINTAINS GOOD SWITCHINGPERFORMANCE EVEN WITHOUTNEGATIVE BASE DRIVE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT 2DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPNTO-3transistors in modified Jedec TO-3 metal case,(version " P ")intented for use in switc

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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