Биполярный транзистор BUR52S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUR52S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BUR52S Datasheet (PDF)
bur52s.pdf
BUR52SMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)HIGH CURRENTNPN SILICONTRANSISTOR25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)FEATURES FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER1 23(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50)APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROLTO-3 (TO-204
bur52.pdf
BUR52HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR MAINTAINS GOOD SWITCHINGPERFORMANCE EVEN WITHOUTNEGATIVE BASE DRIVE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT 2DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPNTO-3transistors in modified Jedec TO-3 metal case,(version " P ")intented for use in switc
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BC857BTT1G
History: BC857BTT1G
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050