Справочник транзисторов. BUR52S

 

Биполярный транзистор BUR52S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUR52S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUR52S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:17K  semelab
 bur52s.pdf pdf_icon

BUR52S

BUR52SMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)HIGH CURRENTNPN SILICONTRANSISTOR25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)FEATURES FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER1 23(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50)APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROLTO-3 (TO-204

 9.1. Size:62K  st
 bur52.pdf pdf_icon

BUR52S

BUR52HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR MAINTAINS GOOD SWITCHINGPERFORMANCE EVEN WITHOUTNEGATIVE BASE DRIVE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT 2DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPNTO-3transistors in modified Jedec TO-3 metal case,(version " P ")intented for use in switc

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KSD1021 | MMBT3639 | HR13003 | 3DD13005ED-V | BUS11-4 | SMUN5330DW | BU2525DF

 

 
Back to Top

 


 
.