BUR52S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUR52S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUR52S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR52S даташит

 ..1. Size:17K  semelab
 bur52s.pdf pdf_icon

BUR52S

BUR52S MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) FEATURES FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROL TO-3 (TO-204

 9.1. Size:62K  st
 bur52.pdf pdf_icon

BUR52S

BUR52 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR MAINTAINS GOOD SWITCHING PERFORMANCE EVEN WITHOUT NEGATIVE BASE DRIVE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT 2 DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN TO-3 transistors in modified Jedec TO-3 metal case, (version " P ") intented for use in switc

Другие транзисторы: BUY48SMD05, BUY48X, BUY80SMD, BUY82CECC, BUY82X, BUY92SMD, BUT11APX, BUR51S, TIP41, BUP50A, BUP53R, BUW90, BUX50SMD, BUX50SMD05, BUX51SMD, BUX51SMD05, BUX52SMD