BUR52S - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUR52S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUR52S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR52S

 

BUR52S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:17K  semelab
 bur52s.pdf pdf_icon

BUR52S

BUR52S MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) FEATURES FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS MOTOR CONTROL TO-3 (TO-204

 9.1. Size:62K  st
 bur52.pdf pdf_icon

BUR52S

BUR52 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR MAINTAINS GOOD SWITCHING PERFORMANCE EVEN WITHOUT NEGATIVE BASE DRIVE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT 2 DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN TO-3 transistors in modified Jedec TO-3 metal case, (version " P ") intented for use in switc

Другие транзисторы... BUY48SMD05 , BUY48X , BUY80SMD , BUY82CECC , BUY82X , BUY92SMD , BUT11APX , BUR51S , TIP41 , BUP50A , BUP53R , BUW90 , BUX50SMD , BUX50SMD05 , BUX51SMD , BUX51SMD05 , BUX52SMD .

History: BU361 | CHDTC124TKGP | DNLS160V

 

 
Back to Top

 


 
.