TPC5658NND03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPC5658NND03  📄📄 

Código: BQ_BR_BS

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: WBFBP-03B

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TPC5658NND03 datasheet

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TPC5658NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPC5658NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPA2029NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

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TPC5658NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TOP TPC5663NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) unit mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial planar Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) 250mA At IC =200mA / IB =10mA E B APPLI

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