TPC5658NND03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPC5658NND03  📄📄 

Маркировка: BQ_BR_BS

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: WBFBP-03B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPC5658NND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC5658NND03 даташит

 ..1. Size:295K  jiangsu
 tpc5658nnd03.pdf pdf_icon

TPC5658NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPC5658NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPA2029NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

 9.1. Size:304K  jiangsu
 tpc5663nnd03.pdf pdf_icon

TPC5658NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TOP TPC5663NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) unit mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial planar Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) 250mA At IC =200mA / IB =10mA E B APPLI

Другие транзисторы: KTC3199-O, KTC3199-Y, KTC3205-O, KTC3205-Y, KTC3880LT1, TPA2029NND03, TPA2030NND03, TPC2715NND03, A1015, TPC5663NND03, TPC6901, TPC6901A, TPC6902, TPCP8902, TPCP8F01, TPCP8G01, KTC3875-GR