Справочник транзисторов. TPC5658NND03

 

Биполярный транзистор TPC5658NND03 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TPC5658NND03
   Маркировка: BQ_BR_BS
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: WBFBP-03B
 

 Аналог (замена) для TPC5658NND03

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC5658NND03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  jiangsu
 tpc5658nnd03.pdf pdf_icon

TPC5658NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPC5658NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPA2029NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

 9.1. Size:304K  jiangsu
 tpc5663nnd03.pdf pdf_icon

TPC5658NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TOP TPC5663NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial planar Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) 250mA At IC =200mA / IB =10mA E B APPLI

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: RN1607 | 2SC1906 | TIX617 | B834A-G | RN1416 | 2SC3887 | 2SC3795B

 

 
Back to Top

 


 
.