A608N Todos los transistores

 

A608N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A608N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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A608N Datasheet (PDF)

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A608N

A608N PNP silicon APPLICATIONFrequency Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltageVCBO -50 VCollector-emitter voltageVCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -6 VCollector currentIC -150 mACollector Power DissipationICP -400 mAJunction TemperaturePC 500 mWJunction Tempera

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A608N

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A608N

Ordering number : ENN6324A2SA608N / 2SC536NPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA608N / 2SC536NLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Capable of being used in the low frequency to high unit : mmfrequency range. 2205[2SA608N / 2SC536N]4.5Features3.7 3.5 Large current capacity and wide ASO.0.50.450.441

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A608N

2SA608N -0.1 A, -40 V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Large current capacity and wide ASO. G HAPPLICATIONS EmitterCollector Capable of being used in the low frequency to Base Jhigh frequency range. A DMillimeterREF.B Min.

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