A608N - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: A608N
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для A608N
A608N - технические параметры
a608n.pdf
A608N PNP silicon APPLICATION Frequency Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -6 V Collector current IC -150 mA Collector Power Dissipation ICP -400 mA Junction Temperature PC 500 mW Junction Tempera
2sa608n 2sc536n.pdf
Ordering number ENN6324A 2SA608N / 2SC536N PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA608N / 2SC536N Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Capable of being used in the low frequency to high unit mm frequency range. 2205 [2SA608N / 2SC536N] 4.5 Features 3.7 3.5 Large current capacity and wide ASO. 0.5 0.45 0.44 1
2sa608n.pdf
2SA608N -0.1 A, -40 V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Large current capacity and wide ASO. G H APPLICATIONS Emitter Collector Capable of being used in the low frequency to Base J high frequency range. A D Millimeter REF. B Min.
Другие транзисторы... A1037 , A1037AK , A1048 , A1048S , A539 , A562 , A564 , A608 , 2SC1815 , A614 , A673 , A684 , A695 , A1150 , A1160 , A1162 , A1163 .
History: KMBTA45 | NA22XJ | 9014G | NA12EJ | KC856BS | NA11HI | NA02EJ
History: KMBTA45 | NA22XJ | 9014G | NA12EJ | KC856BS | NA11HI | NA02EJ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet





