A1160 Todos los transistores

 

A1160 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1160
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO92L
 

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A1160 datasheet

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A1160

A1160 PNP silicon APPLICATION Medium Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -20 V Collector-emitter voltage VCEO -10 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -6 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -2 A Collector Power Dissipation PC 900 mW Junct

 0.1. Size:178K  toshiba
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A1160

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History: CSD794Y | BTB772SA3

 

 

 


 
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