A1160 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A1160  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: TO92L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de A1160

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

A1160 datasheet

 ..1. Size:248K  fgx
 a1160.pdf pdf_icon

A1160

A1160 PNP silicon APPLICATION Medium Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -20 V Collector-emitter voltage VCEO -10 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -6 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -2 A Collector Power Dissipation PC 900 mW Junct

 0.1. Size:178K  toshiba
 2sa1160.pdf pdf_icon

A1160

Otros transistores... A564, A608, A608N, A614, A673, A684, A695, A1150, A940, A1162, A1163, A1175, A1182, A1213, A1241, A1246, A1255