A1160 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A1160
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
Paquete / Cubierta: TO92L
Búsqueda de reemplazo de A1160
A1160 datasheet
a1160.pdf
A1160 PNP silicon APPLICATION Medium Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -20 V Collector-emitter voltage VCEO -10 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -6 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -2 A Collector Power Dissipation PC 900 mW Junct
Otros transistores... A564 , A608 , A608N , A614 , A673 , A684 , A695 , A1150 , TIP35C , A1162 , A1163 , A1175 , A1182 , A1213 , A1241 , A1246 , A1255 .
History: CSD794Y | BTB772SA3
Liste
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