A1160 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1160  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1160

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1160 даташит

 ..1. Size:248K  fgx
 a1160.pdf pdf_icon

A1160

A1160 PNP silicon APPLICATION Medium Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -20 V Collector-emitter voltage VCEO -10 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -6 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -2 A Collector Power Dissipation PC 900 mW Junct

 0.1. Size:178K  toshiba
 2sa1160.pdf pdf_icon

A1160

Другие транзисторы: A564, A608, A608N, A614, A673, A684, A695, A1150, A940, A1162, A1163, A1175, A1182, A1213, A1241, A1246, A1255