Справочник транзисторов. A1160

 

Биполярный транзистор A1160 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: A1160
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO92L
 

 Аналог (замена) для A1160

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  fgx
a1160.pdfpdf_icon

A1160

A1160 PNP silicon APPLICATION: Medium Power Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -20 VCollector-emitter voltage VCEO -10 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -6 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -2 ACollector Power Dissipation PC 900 mWJunct

 0.1. Size:178K  toshiba
2sa1160.pdfpdf_icon

A1160

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3238 | DTA143ZEB

 

 
Back to Top

 


 
.