A1255 Todos los transistores

 

A1255 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1255
   Código: MO_MY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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A1255 datasheet

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A1255

A1255 APPLICATION High Voltage Switching Applications. PNP silicon MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -50 mA 1 Collector Power Dissipation PC 150 mW 2 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperat

 0.1. Size:249K  toshiba
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A1255

2SA1255 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused (PCT process) 2SA1255 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCBO = -200 V (min) V = -200 V (min) CEO Small package Complementary to 2SC3138 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V

Otros transistores... A1160 , A1162 , A1163 , A1175 , A1182 , A1213 , A1241 , A1246 , 2SC2625 , A1266 , A1267 , A1267S , A1270 , A1271 , A1273 , A1273A , A1276 .

History: 2SB435Y

 

 

 


 
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