A1255 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A1255 📄📄

Código: MO_MY

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT23

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de A1255

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

A1255 datasheet

..1. Size:246K fgx
a1255.pdf pdf_icon

A1255 APPLICATION High Voltage Switching Applications. PNP silicon MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -50 mA 1 Collector Power Dissipation PC 150 mW 2 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperat

0.1. Size:249K toshiba
2sa1255.pdf pdf_icon

2SA1255 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused (PCT process) 2SA1255 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCBO = -200 V (min) V = -200 V (min) CEO Small package Complementary to 2SC3138 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V

Otros transistores... A1160, A1162, A1163, A1175, A1182, A1213, A1241, A1246, 2SC2655, A1266, A1267, A1267S, A1270, A1271, A1273, A1273A, A1276

A1255 Datasheet. Equivalente