Справочник транзисторов. A1255

 

Биполярный транзистор A1255 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: A1255
   Маркировка: MO_MY
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для A1255

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1255 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  fgx
 a1255.pdf pdf_icon

A1255

A1255 APPLICATION:High Voltage Switching Applications. PNP silicon MAXIMUM RATINGSTa25 PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -200 VCollector-emitter voltage VCEO -200 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -50 mA 1Collector Power Dissipation PC 150 mW2Junction Temperature TJ 150Storage Temperat

 0.1. Size:249K  toshiba
 2sa1255.pdf pdf_icon

A1255

2SA1255 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused (PCT process) 2SA1255 High Voltage Switching Applications Unit: mm High voltage: VCBO = -200 V (min) V = -200 V (min) CEO Small package Complementary to 2SC3138 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -200 VCollector-emitter voltage VCEO -200 V

Другие транзисторы... A1160 , A1162 , A1163 , A1175 , A1182 , A1213 , A1241 , A1246 , 2SC2625 , A1266 , A1267 , A1267S , A1270 , A1271 , A1273 , A1273A , A1276 .

History: 2SC1319 | 2SC1211

 

 
Back to Top

 


 
.