A1255 - описание и поиск аналогов

 

A1255. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: A1255

Маркировка: MO_MY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для A1255

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1255 даташит

 ..1. Size:246K  fgx
 a1255.pdf pdf_icon

A1255

A1255 APPLICATION High Voltage Switching Applications. PNP silicon MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -50 mA 1 Collector Power Dissipation PC 150 mW 2 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperat

 0.1. Size:249K  toshiba
 2sa1255.pdf pdf_icon

A1255

2SA1255 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused (PCT process) 2SA1255 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCBO = -200 V (min) V = -200 V (min) CEO Small package Complementary to 2SC3138 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -200 V Collector-emitter voltage VCEO -200 V

Другие транзисторы... A1160 , A1162 , A1163 , A1175 , A1182 , A1213 , A1241 , A1246 , 2SC2625 , A1266 , A1267 , A1267S , A1270 , A1271 , A1273 , A1273A , A1276 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.