A1317S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A1317S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92S

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A1317S datasheet

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A1317S

A1317S PNP Silicon PNP Transistors APPLICATION Frequency Applications. MAXIMUM RATINGS Ta=25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector-base voltage VCEO -50 V Collector-emitter voltage VEBO -6 V Emitter-base voltage Ic -0.2 A Collector current Icp -0.4 A Pc 0.3 Collector Power Dissipation W Tj 150 Junction Tem

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A1317S

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A1317S

A1317 PNP silicon APPLICATION Loe frequency Amplifier Application. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -6 V Collector current IC -200 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage Te

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