A1317S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A1317S
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92S
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar A1317S
A1317S Datasheet (PDF)
a1317s.pdf
A1317S PNP SiliconPNP Transistors APPLICATIONFrequency Applications. MAXIMUM RATINGSTa=25PARAMETER SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector-base voltageVCEO -50 VCollector-emitter voltageVEBO -6 VEmitter-base voltage Ic -0.2 ACollector currentIcp -0.4 APc 0.3Collector Power Dissipation WTj 150Junction Tem
a1317.pdf
A1317 PNP silicon APPLICATIONLoe frequency Amplifier Application.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -6 VCollector current IC -200 mACollector Power Dissipation PC 300 mWJunction Temperature TJ 150Storage Te
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: LBC850CLT3G | NSBC114TDP6 | BUR50S | MP1530A | KT816B | MP1553A | BSJ63
History: LBC850CLT3G | NSBC114TDP6 | BUR50S | MP1530A | KT816B | MP1553A | BSJ63
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050