A1317S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1317S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92S

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1317S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1317S даташит

 ..1. Size:248K  fgx
 a1317s.pdf pdf_icon

A1317S

A1317S PNP Silicon PNP Transistors APPLICATION Frequency Applications. MAXIMUM RATINGS Ta=25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector-base voltage VCEO -50 V Collector-emitter voltage VEBO -6 V Emitter-base voltage Ic -0.2 A Collector current Icp -0.4 A Pc 0.3 Collector Power Dissipation W Tj 150 Junction Tem

 9.1. Size:144K  sanyo
 2sa1317 2sc3330.pdf pdf_icon

A1317S

 9.2. Size:241K  fgx
 a1317.pdf pdf_icon

A1317S

A1317 PNP silicon APPLICATION Loe frequency Amplifier Application. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -6 V Collector current IC -200 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage Te

Другие транзисторы: A1276, A1296, A1297, A1298, A1300, A1309, A1313, A1317, 2SC5198, A1320, A1357, A1480, A1504, A1505, A1517, A1585, A1585S