Справочник транзисторов. A1317S

 

Биполярный транзистор A1317S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: A1317S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92S
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

A1317S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  fgx
a1317s.pdfpdf_icon

A1317S

A1317S PNP SiliconPNP Transistors APPLICATIONFrequency Applications. MAXIMUM RATINGSTa=25PARAMETER SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector-base voltageVCEO -50 VCollector-emitter voltageVEBO -6 VEmitter-base voltage Ic -0.2 ACollector currentIcp -0.4 APc 0.3Collector Power Dissipation WTj 150Junction Tem

 9.1. Size:144K  sanyo
2sa1317 2sc3330.pdfpdf_icon

A1317S

 9.2. Size:241K  fgx
a1317.pdfpdf_icon

A1317S

A1317 PNP silicon APPLICATIONLoe frequency Amplifier Application.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -6 VCollector current IC -200 mACollector Power Dissipation PC 300 mWJunction Temperature TJ 150Storage Te

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BUL66A | NSBA115TDP6T5G | CMBT3903 | 2SD2083 | PDTA124TU | 3DA150A | BD244BG

 

 
Back to Top

 


 
.