BFU730LX Todos los transistores

 

BFU730LX . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU730LX
   Código: ZD
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 53000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 205
   Paquete / Cubierta: SOT883C
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFU730LX Datasheet (PDF)

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BFU730LX

BFU730LXNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 8 May 2013 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

 8.1. Size:128K  nxp
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BFU730LX

BFU730FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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History: BC337A-16 | 2SC2257A | TV37

 

 
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