BFU730LX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU730LX  📄📄 

Código: ZD

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 3 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 53000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 205

Encapsulados: SOT883C

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BFU730LX

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BFU730LX datasheet

 ..1. Size:165K  nxp
 bfu730lx.pdf pdf_icon

BFU730LX

BFU730LX NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 8 May 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

 8.1. Size:128K  nxp
 bfu730f.pdf pdf_icon

BFU730LX

BFU730F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 29 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Otros transistores... BFU550A, BFU550W, BFU550X, BFU550XR, BFU580G, BFU580Q, BFU590G, BFU590Q, D965, BFU768F, BFU910F, BFW44CSM, BFW44DCSM, BFX34SMD, BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM