Биполярный транзистор BFU730LX Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFU730LX
Маркировка: ZD
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 53000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 205
Корпус транзистора: SOT883C
Аналог (замена) для BFU730LX
BFU730LX Datasheet (PDF)
bfu730lx.pdf

BFU730LXNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 8 May 2013 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat
bfu730f.pdf

BFU730FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic
Другие транзисторы... BFU550A , BFU550W , BFU550X , BFU550XR , BFU580G , BFU580Q , BFU590G , BFU590Q , NJW0281G , BFU768F , BFU910F , BFW44CSM , BFW44DCSM , BFX34SMD , BFX34SMD05 , BFX48DCSM , BFY90DCSM .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568