BFU730LX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU730LX  📄📄 

Маркировка: ZD

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 53000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 205

Корпус транзистора: SOT883C

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU730LX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU730LX даташит

 ..1. Size:165K  nxp
 bfu730lx.pdf pdf_icon

BFU730LX

BFU730LX NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 8 May 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

 8.1. Size:128K  nxp
 bfu730f.pdf pdf_icon

BFU730LX

BFU730F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 29 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Другие транзисторы: BFU550A, BFU550W, BFU550X, BFU550XR, BFU580G, BFU580Q, BFU590G, BFU590Q, D965, BFU768F, BFU910F, BFW44CSM, BFW44DCSM, BFX34SMD, BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM