BFU768F Todos los transistores

 

BFU768F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU768F
   Código: ZB*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.22 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 110000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 155
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 

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BFU768F Datasheet (PDF)

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BFU768F

BFU768FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1.2 24 December 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

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BFU768F

BFU760FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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