BFU768F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU768F  📄📄 

Código: ZB*

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.22 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 110000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 155

Encapsulados: SOT343F

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BFU768F datasheet

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BFU768F

BFU768F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1.2 24 December 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

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BFU768F

BFU760F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 29 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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