BFU768F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU768F  📄📄 

Маркировка: ZB*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.22 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 155

Корпус транзистора: SOT343F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU768F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU768F даташит

 ..1. Size:163K  nxp
 bfu768f.pdf pdf_icon

BFU768F

BFU768F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1.2 24 December 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

 9.1. Size:121K  nxp
 bfu760f.pdf pdf_icon

BFU768F

BFU760F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 29 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Другие транзисторы: BFU550W, BFU550X, BFU550XR, BFU580G, BFU580Q, BFU590G, BFU590Q, BFU730LX, 2SD669A, BFU910F, BFW44CSM, BFW44DCSM, BFX34SMD, BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM, BLD128DD