BFU910F Todos los transistores

 

BFU910F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU910F
   Código: F1*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 9.5 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1900
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 

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BFU910F Datasheet (PDF)

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BFU910F

BFU910FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 16 January 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz.1.2 Features and benefits Low noise high gain mi

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