BFU910F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFU910F
Código: F1*
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 9.5 V
Tensión colector-emisor (Vce): 2 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 90000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1900
Paquete / Cubierta: SOT343F
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BFU910F Datasheet (PDF)
bfu910f.pdf
BFU910FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 16 January 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz.1.2 Features and benefits Low noise high gain mi
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History: PDTC144WM | BUXD87-1
Liste
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