BFU910F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU910F  📄📄 

Código: F1*

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 9.5 V

Tensión colector-emisor (Vce): 2 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1900

Encapsulados: SOT343F

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BFU910F datasheet

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BFU910F

BFU910F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 2 16 January 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz. 1.2 Features and benefits Low noise high gain mi

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