BFU910F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU910F  📄📄 

Маркировка: F1*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9.5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1900

Корпус транзистора: SOT343F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU910F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU910F даташит

 ..1. Size:139K  nxp
 bfu910f.pdf pdf_icon

BFU910F

BFU910F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 2 16 January 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz. 1.2 Features and benefits Low noise high gain mi

Другие транзисторы: BFU550X, BFU550XR, BFU580G, BFU580Q, BFU590G, BFU590Q, BFU730LX, BFU768F, TIP2955, BFW44CSM, BFW44DCSM, BFX34SMD, BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM, BLD128DD, BLV38