Биполярный транзистор BFU910F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFU910F
Маркировка: F1*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9.5 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1900
Корпус транзистора: SOT343F
BFU910F Datasheet (PDF)
..1. Size:139K nxp
bfu910f.pdf
bfu910f.pdf
BFU910FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 16 January 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz.1.2 Features and benefits Low noise high gain mi
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050