Справочник транзисторов. BFU910F

 

Биполярный транзистор BFU910F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU910F
   Маркировка: F1*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9.5 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1900
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU910F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU910F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  nxp
 bfu910f.pdf pdf_icon

BFU910F

BFU910FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 16 January 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.The BFU910F is suitable for small signal applications up to 20 GHz.1.2 Features and benefits Low noise high gain mi

Другие транзисторы... BFU550X , BFU550XR , BFU580G , BFU580Q , BFU590G , BFU590Q , BFU730LX , BFU768F , 2SD669 , BFW44CSM , BFW44DCSM , BFX34SMD , BFX34SMD05 , BFX48DCSM , BFY90DCSM , BLD128DD , BLV38 .

 

 
Back to Top

 


 
.