BLY93H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLY93H  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 625 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: 380-4L

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BLY93H datasheet

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BLY93H

HG RF POWER TRANSISTOR BLY93H Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The HG BLY93H is Designed for .112x45 A Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. C B E C E E FEATURES C E B Common Emitter B PG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz I D H Omnigold Metalization System J G MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... BLD128DD, BLV38, BLV62, BLV80, BLV948, BLV97CE, BLX65E, BLX65ES, TIP32C, BR3CA1353F, BR3CG3802, BR3CG984K, BR3DA122DK, BR3DA6821K, BR3DD13002DG1K, BR3DD13002E1K, BR3DD13003VK1K