BLY93H Todos los transistores

 

BLY93H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLY93H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 625 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: 380-4L
 

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BLY93H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  hgsemi
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BLY93H

HG RF POWER TRANSISTORBLY93HSemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The HG BLY93H is Designed for .112x45 AClass C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. CBE CE EFEATURES: C EBCommon Emitter BPG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz IDHOmnigold Metalization SystemJGMAXIMUM RATINGS

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