BLY93H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLY93H  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 625 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 380-4L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLY93H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY93H даташит

 ..1. Size:269K  hgsemi
 bly93h.pdf pdf_icon

BLY93H

HG RF POWER TRANSISTOR BLY93H Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The HG BLY93H is Designed for .112x45 A Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. C B E C E E FEATURES C E B Common Emitter B PG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz I D H Omnigold Metalization System J G MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: BLD128DD, BLV38, BLV62, BLV80, BLV948, BLV97CE, BLX65E, BLX65ES, TIP32C, BR3CA1353F, BR3CG3802, BR3CG984K, BR3DA122DK, BR3DA6821K, BR3DD13002DG1K, BR3DD13002E1K, BR3DD13003VK1K