BRF90G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRF90G 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO50
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BRF90G datasheet
brf90g.pdf
140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE (215) 631-9840 FAX (215) 631-9855 BFR90 BRF90G RF & MICROWAVE DISCRETE *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish LOW POWER TRANSISTORS Features High Current-Gain Bandwidth Product, fT = 5.0 GHz (typ) @ IC = 14 mA Low Noise Figure NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz High Power Gain Gmax = 18dB (t
Otros transistores... BR3DD13009X8F, BR3DD13009X9P, BR3DD13009Z8F, BR3DD5555R, BR3DD6802Q, BR3DG1684, BR3DG227K, BR3DG536K, 2SC2073, BSV52LT1G, BSV62SMD, BSV62SMD05, BSV64SMD, BSX20DCSM, BSX33CSM, BSX33DCSM, BSX36DCSM
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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