BRF90G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRF90G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Empaquetado / Estuche: TO50
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BRF90G
BRF90G Datasheet (PDF)
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140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855 BFR90 BRF90G RF & MICROWAVE DISCRETE *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish LOW POWER TRANSISTORS Features • High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 5.0 GHz (typ) @ IC = 14 mA • Low Noise Figure – NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz • High Power Gain – Gmax = 18dB (t
Otros transistores... BR3DD13009X8F , BR3DD13009X9P , BR3DD13009Z8F , BR3DD5555R , BR3DD6802Q , BR3DG1684 , BR3DG227K , BR3DG536K , S8550 , BSV52LT1G , BSV62SMD , BSV62SMD05 , BSV64SMD , BSX20DCSM , BSX33CSM , BSX33DCSM , BSX36DCSM .
