BRF90G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BRF90G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BRF90G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BRF90G даташит

 ..1. Size:116K  apt
 brf90g.pdf pdf_icon

BRF90G

140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE (215) 631-9840 FAX (215) 631-9855 BFR90 BRF90G RF & MICROWAVE DISCRETE *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish LOW POWER TRANSISTORS Features High Current-Gain Bandwidth Product, fT = 5.0 GHz (typ) @ IC = 14 mA Low Noise Figure NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz High Power Gain Gmax = 18dB (t

Другие транзисторы: BR3DD13009X8F, BR3DD13009X9P, BR3DD13009Z8F, BR3DD5555R, BR3DD6802Q, BR3DG1684, BR3DG227K, BR3DG536K, 2SC2073, BSV52LT1G, BSV62SMD, BSV62SMD05, BSV64SMD, BSX20DCSM, BSX33CSM, BSX33DCSM, BSX36DCSM