BSV64SMD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSV64SMD
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Empaquetado / Estuche: TO276AB
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSV64SMD
BSV64SMD Datasheet (PDF)
1.1. bsv64smd.pdf 
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BSV64SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 5A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0.
5.1. bsv64 3.pdf Size:50K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D110 BSV64 NPN medium power transistor 1997 Sep 04 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 21 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor BSV64 FEATURES PINNING High current (max. 2 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 emitter Good high current saturat
Otros transistores... D32W7 , D32W8 , D32W9 , D33D1 , D33D2 , D33D21 , D33D22 , D33D23 , S9014 , D33D25 , D33D26 , D33D27 , D33D28 , D33D29 , D33D3 , D33D30 , D33D4 .
