BSV64SMD Todos los transistores

 

BSV64SMD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSV64SMD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO276AB
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSV64SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10K  semelab
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BSV64SMD

BSV64SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 60V IC = 5A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (0.

 9.1. Size:50K  philips
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BSV64SMD

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D110BSV64NPN medium power transistor1997 Sep 04Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 21File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor BSV64FEATURES PINNING High current (max. 2 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter Good high curren

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