Биполярный транзистор BSV64SMD Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BSV64SMD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO276AB
Аналог (замена) для BSV64SMD
BSV64SMD Datasheet (PDF)
bsv64smd.pdf

BSV64SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 60V IC = 5A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (0.
bsv64 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D110BSV64NPN medium power transistor1997 Sep 04Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 21File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor BSV64FEATURES PINNING High current (max. 2 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter Good high curren
Другие транзисторы... BR3DD6802Q , BR3DG1684 , BR3DG227K , BR3DG536K , BRF90G , BSV52LT1G , BSV62SMD , BSV62SMD05 , A1941 , BSX20DCSM , BSX33CSM , BSX33DCSM , BSX36DCSM , BSX62SMD , BSX62SMD05 , BSX63SMD , BSX64SMD .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025