3CD103 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD103  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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3CD103 datasheet

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3CD103

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD103 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class JP, JT, JC

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3CD103

3CD100 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V ICBO VCB=50V

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3CD103

2SB1094(3CD1094) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. 2SD1585(3DD1585) Features Complementary to the 2SD1585(3DD1585). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -7.0 V

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3CD103

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