3CD103 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3CD103  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3CD103

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD103 даташит

 ..1. Size:23K  shaanxi
 3cd103.pdf pdf_icon

3CD103

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD103 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class JP, JT, JC

 9.1. Size:123K  china
 3cd100.pdf pdf_icon

3CD103

3CD100 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V ICBO VCB=50V

 9.2. Size:228K  lzg
 3cd1094.pdf pdf_icon

3CD103

2SB1094(3CD1094) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. 2SD1585(3DD1585) Features Complementary to the 2SD1585(3DD1585). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -7.0 V

 9.3. Size:422K  lzg
 3cd1010.pdf pdf_icon

3CD103

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CD020, 3CD030, 3CD050, 3CD075, 3CD1, 3CD100, 3CD1010, 3CD102, A940, 3CD1094, 3CD1290, 3CD1375, 3CD150, 3CD205, 3CD3, 3CD32, 3CD32A