3DD9D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD9D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Empaquetado / Estuche: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD9D
3DD9D Datasheet (PDF)
1.1. d3dd9d.pdf 
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Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China D3DD9D NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a
1.2. 3dd9d.pdf Size:153K _china
3DD9D—T 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC≤75℃ 150 W 极 ICM 15 A 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=10mA ≥250 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥200 V V(BR)EBO IEB=20mA ≥3.0 V 直 ICEO VCE=30V ≤3.0 mA 流 VBEsat ≤1.8 参 IC=7.5A V 数 IB=1.5A VCEsat ≤2.0 VCE=10V hFE 10~150 IC=7.5A
Otros transistores... 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 431 , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 .
