3DD9D Todos los transistores

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3DD9D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD9D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10

Empaquetado / Estuche: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD9D

3DD9D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd9d.pdf Size:153K _china

3DD9D

3DD9D—T 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC≤75℃ 150 W 极 ICM 15 A 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=10mA ≥250 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥200 V V(BR)EBO IEB=20mA ≥3.0 V 直 ICEO VCE=30V ≤3.0 mA 流 VBEsat ≤1.8 参 IC=7.5A V 数 IB=1.5A VCEsat ≤2.0 VCE=10V hFE 10~150 IC=7.5A

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