3DD9D Todos los transistores

 

3DD9D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD9D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD9D PDF detailed specifications

 ..1. Size:153K  china
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3DD9D

3DD9D T NPN PCM TC 75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=10mA 250 V V(BR)CEO ICE=10mA 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 3.0 V ICEO VCE=30V 3.0 mA VBEsat 1.8 IC=7.5A V IB=1.5A VCEsat 2.0 VCE=10V hFE 10 150 IC=7.5A ... See More ⇒

 ..2. Size:193K  inchange semiconductor
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3DD9D

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD9D DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications A... See More ⇒

 0.1. Size:23K  shaanxi
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3DD9D

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China D3DD9D NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a... See More ⇒

Otros transistores... 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , BC546 , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 .

 

 
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