3DD9D - описание и поиск аналогов

 

3DD9D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD9D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD9D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD9D - технические параметры

 ..1. Size:153K  china
 3dd9d.pdf pdf_icon

3DD9D

3DD9D T NPN PCM TC 75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=10mA 250 V V(BR)CEO ICE=10mA 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 3.0 V ICEO VCE=30V 3.0 mA VBEsat 1.8 IC=7.5A V IB=1.5A VCEsat 2.0 VCE=10V hFE 10 150 IC=7.5A

 ..2. Size:193K  inchange semiconductor
 3dd9d.pdf pdf_icon

3DD9D

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD9D DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications A

 0.1. Size:23K  shaanxi
 d3dd9d.pdf pdf_icon

3DD9D

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China D3DD9D NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Другие транзисторы... 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , BC546 , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 .

 

 
Back to Top

 


 
.