3DG5088 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG5088  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO92

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3DG5088 datasheet

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3DG5088

2N5088(3DG5088) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 1uA 50uA Purpose This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents from 1 A to 50 A. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating

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