3DG5088 Todos los transistores

 

3DG5088 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG5088
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG5088 Datasheet (PDF)

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3DG5088

2N5088(3DG5088) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 1uA50uA Purpose:This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents from 1A to 50A. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating

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History: 2SB1161 | 2N3225 | 2SC1345 | 2SD1131 | NSBC123EDXV6T1G | 2SD1714 | SST2222AHZG

 

 
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