3DG5088 - описание и поиск аналогов

 

3DG5088. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG5088

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG5088

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5088 даташит

 ..1. Size:303K  lzg
 3dg5088.pdf pdf_icon

3DG5088

2N5088(3DG5088) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 1uA 50uA Purpose This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents from 1 A to 50 A. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating

Другие транзисторы: 3DG4081, 3DG4081W, 3DG4097, 3DG4115S, 3DG4155A, 3DG42, 3DG4401, 3DG458, D667, 3DG512B, 3DG512C, 3DG531, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551

 

 

 

 

↑ Back to Top
.