Справочник транзисторов. 3DG5088

 

Биполярный транзистор 3DG5088 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG5088
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG5088

 

 

3DG5088 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  lzg
3dg5088.pdf

3DG5088
3DG5088

2N5088(3DG5088) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 1uA50uA Purpose:This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents from 1A to 50A. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top