Справочник транзисторов. 3DG5088

 

Биполярный транзистор 3DG5088 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG5088
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG5088

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG5088 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  lzg
 3dg5088.pdf pdf_icon

3DG5088

2N5088(3DG5088) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 1uA50uA Purpose:This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents from 1A to 50A. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating

Другие транзисторы... 3DG4081 , 3DG4081W , 3DG4097 , 3DG4115S , 3DG4155A , 3DG42 , 3DG4401 , 3DG458 , S9018 , 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 3DG5551 .

 

 
Back to Top

 


 
.