US6T9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6T9
Código: T09
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar US6T9
US6T9 Datasheet (PDF)
us6t9.pdf
US6T9 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) US6T9 Dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -350mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : T09 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25C) Paramete
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: UN921LJ | BC856UF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D