Биполярный транзистор US6T9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: US6T9
Маркировка: T09
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: TUMT6
US6T9 Datasheet (PDF)
..1. Size:71K rohm
us6t9.pdf
us6t9.pdf
US6T9 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) US6T9 Dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -350mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : T09 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25C) Paramete
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: K129NT1V-1
History: K129NT1V-1
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050