US6T9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: US6T9  📄📄 

Маркировка: T09

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TUMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для US6T9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

US6T9 даташит

 ..1. Size:71K  rohm
 us6t9.pdf pdf_icon

US6T9

US6T9 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) US6T9 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -350mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM TUMT6 Abbreviated symbol T09 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Paramete

Другие транзисторы: MHQ2369AHXV, MHQ2369HX, MHQ2484HX, MHQ3251AHX, MHQ3468HX, MHQ6002HX, MHQ918HX, US6T8, TIP142, US6X7, US6X8, UT3PP, UTV020, UTV040, VT6T1, VT6T11, VT6T12